IBM表示，小夏其采用2nm工艺制造的测试芯片可以在一块指甲大小的芯片中容纳500亿个晶体管（3.3亿/mm2）。

要点：天到趟本文前半的研究表明，天到趟坑洞状裂纹最常见于电极边缘，同时穿透裂纹基于坑状裂纹生产，并导致枝晶与电池的短路，那么空间分辨地表征坑状裂纹与枝晶的位置可以直接印证二者的关联性。在第二(v)、公室第三(vi)、第四(vii)和第五(viii)沉积步骤之后，与首先沉积的电极相邻的图像切片显示在图1b中。

小夏图3b展现了镀裂的电极附近的电解质区域的放大图像。在锂沉积时，天到趟枝晶从电解质剥落开始，即在锂沉积电极表面的陶瓷电解中形成圆锥形坑洞状裂纹（spallation）。要点：公室图3a展现了一系列在电池中的相同位置的虚拟横截面图像切片：公室在通过电流之前（i），并在沉积后用2mahcm-2（ii），0.4mahcm-2（iii），0.6mAhcm-2（iv），0.8mAhcm-2（v）和锂的1.0mAhcm-2（vi）。

为了验证枝晶位置与坑形裂纹的位置的关联性，小夏在原位条件下对同一电池上进行了XCT表征，小夏枝晶分布与坑形裂纹分布的高度一致，表明了坑形裂纹在诱发贯穿裂纹与导致短路中发挥的重要作用。通过截面的观察，天到趟可以清晰看到坑洞状裂纹使得一大片电解质从母体剥离，并且这样的坑洞状裂纹下方生成了穿透样品的裂纹。

公室散状裂纹沿着孔隙率高于陶瓷平均孔隙率的路径传播。

现主要研究方向为全固态电池、小夏Oygen-redox正极、锂空气电池。引言如今，天到趟具有高能量密度和高工作电压的锂离子电池（LIBs）对于大规模应用至关重要，天到趟例如，便携式电力电子设备，电动汽车（EVs）和混合电动汽车（HEVs）。

公室该成果以题为Long-RangeandShort-RangeTransportDynamicsofLiIonsin LiMn2O4发表在TheJournalofPhysicalChemistryC上。小夏插图表示典型电导率谱。

天到趟(d)弛豫时间τ根据VRH模型的拟合结果。图3介电常数(a) ε(f)，公室(b) ε(f)和(c) tanδ(f)随频率在不同温度下的变化。